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2N7000

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-92，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

数据手册：

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2N7000概述

2N7000是N沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺旨在最大限度地减少导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。它还适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

压控小信号开关

坚固可靠

2N7000中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	200 mA	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	60 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-92	宽度	4.19mm
安装类型	通孔	最低工作温度	-55 °C
引脚数目	3	高度	5.33mm
最大漏源电阻值	5 Ω	长度	5.2mm
通道模式	增强	晶体管材料	Si
最小栅阈值电压	0.8V	最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	400 mW